속도·에너지 극대화 `자기메모리` 상용화 성큼

▲ 왼쪽부터 김영근 교수, 김용진 박사(공동제1저자), 이민혁 석박사통합과정(공동제1저자)

국내 연구진이 차세대 메모리로 불리는 자기메모리의 상용화를 한 단계 앞당긴 연구 성과를 내놨다.

김영근 고려대 신소재공학부 교수와 같은 학과 이민혁 연구원 공동 연구진은 차세대 자기메모리의 전류를 저감할 수 있는 소재 기술을 개발했다고 15일 밝혔다.

자성메모리는 자석 성질을 갖고 있는 물질과 그렇지 않은 물질이 차곡차곡 쌓인 형태로 이뤄져 있다. 자성층의 자성 방향, 즉 N극과 S극이 바뀌면서 정보가 저장되는데 이처럼 N극과 S극을 바꾸는 기술을 `스핀궤도토크`라고 한다. 그런데 스핀궤도토크를 위해서는 기존 메모리 대비 5배 이상 많은 전류를 흘려줘야만 했다. 그만큼 비용이 증가해 상용화의 걸림돌로 작용했다. 김 교수 연구진은 자성메모리를 구성하고 있는 층 사이에 텅스텐 기반의 소재를 넣음으로써 전류를 낮추는 데 성공했다.

 

이새봄, "[과학] 속도·에너지 극대화 `자기메모리` 상용화 성큼", 매일경제, 2020년 12월 16일, mk.co.kr/news/it/view/2020/12/1288460/